采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V
栅极电荷：870pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：310mA
类型：MOSFET
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V
栅极电荷：870pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：310mA
类型：MOSFET
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V
栅极电荷：870pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：310mA
类型：MOSFET
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：10000psc
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13
包装方式：Reel
栅极电荷：870pC
导通电阻：3Ω
阈值电压：2V
漏源电压：60V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：310mA
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2335
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2335
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2335
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2335
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
