品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.65nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2.2A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.65nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2.2A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.65nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2.2A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:375pF@6V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
类型:1个P沟道
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@1.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:375pF@6V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
类型:1个P沟道
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: