品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,1.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
漏源电压:500V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: