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    当前匹配商品:70+
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    NXP Mosfet场效应管 PSMN085-150K,518 起订1002个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN085-150K,518 起订1002个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":5398,"14+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN085-150K,518

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.31nF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订53个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订53个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9620PBF-BE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:3.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:1.5Ω

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订15个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订15个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订1609个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订1609个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3830,"22+":6159}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3830,"22+":6159}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PSMN085-150K,518 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN085-150K,518 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":5398,"14+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN085-150K,518

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.31nF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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