品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6433
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:8Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6433
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW€1.06W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW€1.06W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW€1.06W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6433
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:170mA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:430pC@4.5V
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250μA
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
输入电容:17pF@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:220mW€1.06W
连续漏极电流:170mA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:430pC@4.5V
阈值电压:2.1V@250μA
漏源电压:60V
输入电容:17pF@10V
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:170mA
栅极电荷:1.4nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:20pF@30V
功率:325mW
导通电阻:4.5Ω@10V,170mA
漏源电压:60V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:5.8Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: