包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF16N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37.9W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.25nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":399,"22+":131,"9999":711}
规格型号(MPN):FCP16N60N
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@100V
输入电容:2.17nF@100V
栅极电荷:52.3nC@10V
导通电阻:170mΩ@10V,8A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
功率:134.4W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP80N240K6
输入电容:1.35nF@100V
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@100μA
功率:140W
导通电阻:220mΩ@7A,10V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:25.9nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存: