品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13N60DM2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:3V
栅极电荷:19nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:11A
类型:MOSFET
导通电阻:365mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,5.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13N60DM2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:3V
栅极电荷:19nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:11A
类型:MOSFET
导通电阻:365mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13N60DM2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:3V
栅极电荷:19nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:11A
类型:MOSFET
导通电阻:365mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
功率:110W
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:580pF@100V
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,5.5A
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: