包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.169nF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：20mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS6612A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：560pF@15V

连续漏极电流：8.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：22mΩ@8.4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：193mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1