采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：10.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6.4A
类型：MOSFET
导通电阻：45mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：10.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6.4A
类型：MOSFET
导通电阻：45mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：10.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6.4A
类型：MOSFET
导通电阻：45mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：10.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6.4A
类型：MOSFET
导通电阻：45mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4371EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：10.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6.4A
类型：MOSFET
导通电阻：45mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：15.6nC@10V
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：15.6nC@10V
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：15.6nC@10V
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：15.6nC@10V
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：15.6nC@10V
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
