采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
输入电容：150pF@25V
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.3nC@10V
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：56pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.3nC@10V
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：56pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
