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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.95W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：6.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.95W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：6.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.95W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：6.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
