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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@8V
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@8V
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
