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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
包装方式：Reel
功率：2.9W
阈值电压：1V
连续漏极电流：7.8A
栅极电荷：13.8nC
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：32mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
包装方式：Reel
功率：2.9W
阈值电压：1V
连续漏极电流：7.8A
栅极电荷：13.8nC
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：32mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.015nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.9W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.8A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3
包装方式：Reel
功率：2.9W
阈值电压：1V
连续漏极电流：7.8A
栅极电荷：13.8nC
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：32mΩ
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA510PZ
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@4.5V
功率：2.4W
连续漏极电流：7.8A
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：1.48nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
