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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G29
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：1.151nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R660CFD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27.8W
阈值电压：4V
栅极电荷：22nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：1.544Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW8N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：13.7nC@10V
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28.4W
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.315nF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：660mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：660mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K24HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：21.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：25mΩ
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3650J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷：14.8nC@10V€11.1nC@10V
输入电容：575pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：66.5pF@15V€66pF@15V
导通电阻：32mΩ@10V，6A€17mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207SP H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：43mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28.4W
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.315nF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28.4W
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.315nF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
