品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R420CFD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83.3W
阈值电压:4V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.7A
类型:MOSFET
导通电阻:420mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4464}
包装规格(MPQ):4500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:400mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8.7A
类型:MOSFET
导通电阻:17mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):4500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:400mV
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8.7A
类型:MOSFET
导通电阻:17mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: