品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
输入电容:1.15nF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@15V
导通电阻:19mΩ@4.5V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
输入电容:1.15nF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@15V
导通电阻:19mΩ@4.5V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:51mΩ@10V,12A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
输入电容:1.15nF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@15V
导通电阻:19mΩ@4.5V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
输入电容:1.15nF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@15V
导通电阻:19mΩ@4.5V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:51mΩ@10V,12A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: