采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2.9A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2.9A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：608pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
