品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:39nC@4.5V
输入电容:2.23nF@6V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:39nC@4.5V
输入电容:2.23nF@6V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:39nC@4.5V
输入电容:2.23nF@6V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:39nC@4.5V
输入电容:2.23nF@6V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:9.7A
输入电容:2.23nF@6V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V
类型:1个P沟道
功率:1.9W€12.5W
栅极电荷:39nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.68W
阈值电压:1.95V@250μA
栅极电荷:18.85nC@10V
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: