采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3ENX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：914pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6012JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：7V@2.5mA
栅极电荷：28nC@15V
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@6A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.335nF@75V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@75V
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3ENX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：914pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2012
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.255nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB11N80E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：2V
栅极电荷：88nC
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：440mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：210mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：210mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT12N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.48nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT12N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32.5nC@10V
输入电容：1.82nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：800mΩ@10V，6A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2012
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.255nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24.5nC@10V
输入电容：1.253nF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：158pF@15V
导通电阻：17mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
