包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：22nC@10V

输入电容：705pF@15V

连续漏极电流：5A

类型：1个P沟道

导通电阻：42mΩ@10V，3.8A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

功率：62.5W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：800V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：13nC@4.5V

输入电容：870pF@4V

连续漏极电流：5A

类型：1个P沟道

导通电阻：50mΩ@10V，3.5A

漏源电压：12V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：110W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：490pF@25V

连续漏极电流：5A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.7Ω@3A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1