品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3 G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:3V
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:36mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
输入电容:52.5nF@100V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3 G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:3V
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:36mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
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栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:33A
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导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
输入电容:52.5nF@100V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
输入电容:52.5nF@100V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
输入电容:52.5nF@100V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW50N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:52.5nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: