销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STWA67N60M6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：330W

阈值电压：4.75V@250μA

栅极电荷：72.5nC@10V

输入电容：3.4nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：49mΩ@26A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

导通电阻：72mΩ@10V，26A

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：8.66nF@100V

功率：481W

类型：1个N沟道

漏源电压：600V

连续漏极电流：52A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH072N60F

导通电阻：72mΩ@10V，26A

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：8.66nF@100V

功率：481W

类型：1个N沟道

漏源电压：600V

连续漏极电流：52A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFX52N100X

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25kW

阈值电压：6V@4mA

栅极电荷：245nC@10V

输入电容：6.725nF@25V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：125mΩ@26A，10V

漏源电压：1kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STWA67N60M6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：330W

阈值电压：4.75V@250μA

栅极电荷：72.5nC@10V

输入电容：3.4nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：49mΩ@26A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STWA67N60M6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：330W

阈值电压：4.75V@250μA

栅极电荷：72.5nC@10V

输入电容：3.4nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：49mΩ@26A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB52N20TM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：63nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.9nF@25V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：49mΩ@26A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：215nC@10V

输入电容：8.66nF@100V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：72mΩ@10V，26A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB52N20TM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：63nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.9nF@25V

连续漏极电流：52A

类型：1个N沟道

导通电阻：49mΩ@26A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

包装方式：Reel

阈值电压：1.6V

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：22nC

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

连续漏极电流：52A

功率：19W

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1