采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：17+
包装规格(MPQ)：9000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：2.38nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：17+
包装规格(MPQ)：9000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：2.38nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：9000psc
生产批次：17+
规格型号(MPN)：BSS83P H6327
包装方式：Reel
功率：360mW
栅极电荷：2.38nC
阈值电压：2V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.4Ω
连续漏极电流：330mA
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：600pC@4.5V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
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