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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
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导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
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功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
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输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
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输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
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功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
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阈值电压：900mV@250μA
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：500mA
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导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
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品牌：强茂
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销售单位：个
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功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
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功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
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栅极电荷：1.4nC@4.5V
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导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
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品牌：DIODES
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功率：300mW
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类型：1个N沟道
输入电容：40pF@10V
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
输入电容：40pF@10V
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
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