采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.86nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：265mΩ@10V，9A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：7V@4.2mA
栅极电荷：42nC@15V
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：286mΩ@15V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9418_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：4.305nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4mΩ@10V，18A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9418_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：4.305nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4mΩ@10V，18A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9418_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：4.305nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4mΩ@10V，18A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9418_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：4.305nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4mΩ@10V，18A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.86nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：265mΩ@10V，9A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
功率：130W
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.32nF@25V
反向传输电容：130pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.86nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：265mΩ@10V，9A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
