采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
栅极电荷：84nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
栅极电荷：84nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：61A
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
类型：1个N沟道
功率：417W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
