采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.8nC@10V
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：74mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.8nC@10V
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.8nC@10V
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301-TP
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：74mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4V
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2240
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4V
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.8nC@10V
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4V
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：74mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.8nC@10V
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：74mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2240
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
输入电容：594.3pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：7nC@4.5V
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
连续漏极电流：2.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：900mV@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
漏源电压：20V
输入电容：744pF@20V
栅极电荷：7.7nC@4.5V
类型：1个P沟道
导通电阻：74mΩ@4.5V，2.8A
连续漏极电流：2.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：3.5nC@4V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
栅极电荷：2.8nC@10V
功率：660mW
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
