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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：48mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：48mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3407A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：572pF@0V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@0V
导通电阻：55mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：48mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3407A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：572pF@0V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@0V
导通电阻：55mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3407A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：572pF@0V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@0V
导通电阻：55mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
