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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.805nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：207pF@15V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：7.54nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3 G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：20A
类型：MOSFET
导通电阻：8.8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6929G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：288pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@30V
导通电阻：22.5mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3712G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：2.13nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：227pF@25V
导通电阻：9.5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1749
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
