品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BK,215
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,350mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BK,215
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,350mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2315
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2315
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:90V
类型:1个N沟道
输入电容:150pF@25V
导通电阻:6Ω@200mA,0V
功率:1.6W
连续漏极电流:360mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: