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    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S
    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    输入电容:595pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:36pF@15V

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:178
    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S
    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    输入电容:595pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:36pF@15V

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1050
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL3400

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:71pF@15V

    导通电阻:21mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:127
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL3400

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:71pF@15V

    导通电阻:21mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:99
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL3400

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:71pF@15V

    导通电阻:21mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:176
    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S
    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    输入电容:595pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:36pF@15V

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:450
    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S
    MINOS Mosfet场效应管 AO3400S

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    输入电容:595pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:36pF@15V

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:151
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3400

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL3400

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:71pF@15V

    导通电阻:21mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:151
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.15nF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.15nF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.15nF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.15nF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.15nF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV55UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV55UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:352pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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