品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:234pF@100V
连续漏极电流:1.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:725mΩ@1.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.228nF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP32N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: