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    当前匹配商品:500+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UT-13 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UT-13 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2710UTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:42pF@16V

    连续漏极电流:870mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.147nF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订34个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订34个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    栅极电荷:800pC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UFZ-7B 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UFZ-7B 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UFZ-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2312 起订65个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2312 起订65个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2312

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    输入电容:780pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI8810-TP 起订31个装
    MCC Mosfet场效应管 SI8810-TP 起订31个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8810-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:1.15nF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:145pF@10V

    导通电阻:20mΩ@10V,7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订21000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订21000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UWQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UWQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2710UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:42pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订27个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订27个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订9000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订9000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    栅极电荷:800pC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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