品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
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连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
连续漏极电流:300mA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
栅极电荷:350pC@4.5V
类型:1个N沟道
输入电容:21.5pF@15V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
连续漏极电流:300mA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
栅极电荷:350pC@4.5V
类型:1个N沟道
输入电容:21.5pF@15V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EIC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@1mA
栅极电荷:800pC@4.5V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@10V,300mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EIC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@1mA
栅极电荷:800pC@4.5V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EIC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@1mA
栅极电荷:800pC@4.5V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:600pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@4V,100mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:600pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: