品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@10V,220mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:32pF@50V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@50V
导通电阻:5Ω@10V,0.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:32pF@50V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@50V
导通电阻:5Ω@10V,0.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3400A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:71pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: