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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03D2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：873pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1000}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.1nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2012
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.255nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2012
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.255nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2670TZHG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@10V
输入电容：612pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：34pF@30V
导通电阻：70mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1006LE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：622pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：143mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1006LE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：622pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：143mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
