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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF360N60EC_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.7nC@10V
输入电容：735pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3510G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：32.3nC@Vgs=10V
输入电容：1.53nF@Vds=15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：198pF@Vds=15V
导通电阻：7.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF360N60EC_T0_00001
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：30W
连续漏极电流：11A
漏源电压：600V
输入电容：735pF@400V
栅极电荷：18.7nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3510G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：32.3nC@Vgs=10V
输入电容：1.53nF@Vds=15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：198pF@Vds=15V
导通电阻：7.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3510G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：32.3nC@Vgs=10V
输入电容：1.53nF@Vds=15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：198pF@Vds=15V
导通电阻：7.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF14N80K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：445mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF14N80K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：445mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
