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    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个N沟道
    阈值电压: 4V@250μA
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:90+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数75个
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数75个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数250个
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26N60M2 起订数2个
    ST Mosfet场效应管 STF26N60M2 起订数2个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC30PBF 起订数40个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC30PBF 起订数40个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4040}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,2.75A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT2N60 起订34个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT2N60 起订34个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT2N60

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2pF@25V

    导通电阻:4Ω@10V,1A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:2.29nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订297个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订297个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP120N60EC_T0_00001 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP120N60EC_T0_00001 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMP120N60EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:235W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1.96nF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF360N60EC_T0_00001 起订5个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF360N60EC_T0_00001 起订5个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF360N60EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18.7nC@10V

    输入电容:735pF@400V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP360N60EC_T0_00001 起订5个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP360N60EC_T0_00001 起订5个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMP360N60EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:87.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18.7nC@10V

    输入电容:735pF@400V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP900N60EC_T0_00001 起订9个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP900N60EC_T0_00001 起订9个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMP900N60EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:47.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    输入电容:310pF@400V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订351个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订351个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4040}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1837}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:2.29nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1837}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:2.29nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订数150个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订数150个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:120nC@10V

    输入电容:3.5nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@10V,9.6A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20PBF 起订数300个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20PBF 起订数300个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20PBF 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20PBF 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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