销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.5nC@10V
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.5nC@10V
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP120N60EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1.96nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF360N60EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.7nC@10V
输入电容:735pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP360N60EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:87.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.7nC@10V
输入电容:735pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP900N60EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:47.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:310pF@400V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:120nC@10V
输入电容:3.5nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,9.6A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: