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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G08N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：979pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，2.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G08N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：979pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@15μA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068SEQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G08N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：979pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，2.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
栅极电荷：5.6nC@5V
漏源电压：60V
输入电容：657pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@15μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
