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    类型: 1个N沟道
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    当前匹配商品:1200+
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    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3ENX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:914pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN010-30QLJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:28A€10.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:25A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G100N03D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:5.595nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:659pF@50V

    导通电阻:2.5mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN018-30QLJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN018-30QLJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN018-30QLJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:10.9W€1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€19.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G50N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:1.45V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6380 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6380 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6380

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:26W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:40pF@15V

    导通电阻:5.6mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:9A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMZB420UN,315 起订3562个装
    NXP Mosfet场效应管 PMZB420UN,315 起订3562个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":20746,"13+":46006,"15+":50000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB420UN,315

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:980pC@4.5V

    输入电容:65pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:490mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:15+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LTQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LTQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LTQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:550pC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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