品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNEAX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:2.175nF@10V
栅极电荷:34nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:9A
功率:1.7W€12.5W
漏源电压:20V
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: