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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT2N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：80pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27098，"23+"：4964，"24+"：24985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
