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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8205A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.24nC@4.5V
输入电容：522.3pF@8V
类型：2个N沟道
反向传输电容：74.69pF@8V
导通电阻：22mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8205A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.24nC@4.5V
输入电容：522.3pF@8V
类型：2个N沟道
反向传输电容：74.69pF@8V
导通电阻：22mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：31.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.0664nF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
