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    AOS Mosfet场效应管 AOTE32136C 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTE32136C 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTE32136C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.25V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订23个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订23个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2322A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.25V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1024UV-7 起订数159000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1024UV-7 起订数159000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:740pC@4.5V

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1.38A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订28个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7800_R1_00001 起订28个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2322A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.25V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KDWA-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KDWA-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KDWA-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS9926SC 起订30个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS9926SC 起订30个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS9926SC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:85pF@10V

    导通电阻:23mΩ@2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS9926SC 起订100个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS9926SC 起订100个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS9926SC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:85pF@10V

    导通电阻:23mΩ@2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2162-8/TR 起订23个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2162-8/TR 起订23个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2162-8/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:18.9nC@4.5V

    输入电容:1.371nF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:172pF@10V

    导通电阻:14mΩ@4.5V,4.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订15000个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订15000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2322A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.25V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2322A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.25V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8205A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.24nC@4.5V

    输入电容:522.3pF@8V

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:74.69pF@8V

    导通电阻:22mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2322A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.25V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KDWA-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KDWA-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KDWA-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115 起订数200个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115 起订数200个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:890pC@4.5V

    输入电容:45pF@20V

    连续漏极电流:870mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:340mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 SI3134KDWA-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KDWA-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KDWA-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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