品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11nC@5V
输入电容:955pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9nC@4.5V
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11nC@5V
输入电容:955pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9nC@4.5V
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: