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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 2个N沟道
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949 起订数14000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949 起订数14000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11nC@5V

    输入电容:955pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数50个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订数50个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数36000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数36000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数1500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数1500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订数102000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订数102000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订数2500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订数2500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数2500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数2500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数250个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数250个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY3000NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDY3000NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250μA

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@5V,50mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11nC@5V

    输入电容:955pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@4.5V

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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