品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3390J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:81.3nC@10V
输入电容:4.222nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:448.6pF@15V
导通电阻:7.4mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3390J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:81.3nC@10V
输入电容:4.222nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:448.6pF@15V
导通电阻:7.4mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65.7W€5W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.93nF@15V
连续漏极电流:108A€29.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3390J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:81.3nC@10V
输入电容:4.222nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:448.6pF@15V
导通电阻:7.4mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3390J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:81.3nC@10V
输入电容:4.222nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:448.6pF@15V
导通电阻:7.4mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3390J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:81.3nC@10V
输入电容:4.222nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:448.6pF@15V
导通电阻:7.4mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
输入电容:580pF@15V
功率:2W€3W
栅极电荷:14.5nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:8A€6.4A
阈值电压:2.2V@250μA
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: