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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9393TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.11nF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：19.4mΩ@10V，9.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：1.006nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：1.006nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
