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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
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功率：3.1W
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连续漏极电流：3A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
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导通电阻：170mΩ@2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：3A
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导通电阻：170mΩ@2A，10V
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输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
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功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFS2P753Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-BE3
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：15nC@4.5V
功率：750mW
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
