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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD45P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€63W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：2.03nF@25V
连续漏极电流：45A€8.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：17mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI040P04D1-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3.538nF@20V
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：4.714nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
反向传输电容：456pF@20V
导通电阻：7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.451nF@20V
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.451nF@20V
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：47.5nC@5V
输入电容：4.234nF@20V
连续漏极电流：14A€35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，9.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G75P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：106nC@10V
输入电容：5.38nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G90P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：6.331nF@60V
连续漏极电流：90A
类型：1个P沟道
反向传输电容：612pF@60V
导通电阻：5.8mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
