品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:720pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4.1Ω@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:560mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
导通电阻:12Ω@10V,200mA
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:720pC@4.5V
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4.1Ω@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:720pC@4.5V
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4.1Ω@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: